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MOSFET의 발명자 강대원 박사

시험기간이라 바쁘지만, 이 정도는 짚고 넘어가야 되지 않나 싶어서. 이공계 사람들은 알겠지만, 최초의 트랜지스터는 물리학자인 John Bardeen, Walter Brattain, William Shockley에 의해 발명되었다. 이 업적으로 위 세 명은 1956년 노벨 물리학상을 수상하였다. 이 분들이 만든 것은 BJT(Bipolar Junction Transistor)라는 방식인데, 현재 반도체 등 회로에서 더 많이 쓰이는 방식은 강대원 박사가 개발한 MOSFET 방식인 것 같다. 뭐, 이거야 전기전자 전공도 아니고, 잘 모르긴 하지만, 실리콘 등 반도체를 도핑하여 만드는 방식의 MOSFET이 현재 전자기기의 표준적 방식이 아닌가 싶다.

MOSFET의 발명은, 최초의 트랜지스터 발명은 아닐지 몰라도, 현재 쓰이는 대부분의 전자기기에 MOSFET이 들어가있다는 것을 생각해보면 교과서에 실릴만한 인류 역사에 엄청난 영향을 끼친 사건이라고 할 수 있다. 왜냐하면 트랜지스터는 컴퓨터, 핸드폰, TV, MP3P, 오디오 등등 상상할 수 있는 거의 모든 전자기기에 들어가있는 소자이기 때문이다. 그만큼 인류 현대 문명에 끼친 영향이 지대하다.

전자물리학 시간에 트랜지스터 배우면서, 귀찮았는데, 물론 다루기 쉬운 BJT 위주로 배우고 넘어갔지만 MOSFET의 발명자가 누구인지 알았더라면 좀더 흥미가 생기지 않았을까. 전자/전기 전공하는 친구들은 알고 있었으려나.

강대원 박사는
1931년 5월 4일 서울 출생
1955년 서울대학교 물리학과 졸업(해병대 군복무)
1959년 Ohio State University 박사(물리학) [전자공학일 가능성도 있음＊]
1959년~ Bell Labs
1960년 MOSFET 개발
1967년 Field Effect Memory 개발(최초의 플래쉬 메모리Non-volatile floating-gate memory)
1988년 NEC Research Lab 초대 소장
1992년 사망

그나저나 Ohio State는 옛날부터 고체물리 분야가 강했나보군.

References:

New York Times 강대원 박사 사망 기사: http://query.nytimes.com/gst/fullpage.html?res=9E0CEED9143DF93BA15756C0A964958260
키키님 블로그: http://kiky.egloos.com/3517383
바죠님 블로그: http://incredible.egloos.com/3525477

＊ According to http://www.computerhistory.org/semiconductor/people.html

posted at 2007/12/12 21:59 | Science | Trackback(0) | Comment(4)

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Commented by Pierrot at 2007/12/12 22:57 r x

요즘 내가 MOSFET때문에 미친다...ㅡ.ㅡ 이건 뭐.. 군대 가기 전에는 BJT만 가르쳐주더니 군대 갔다 오고 나서는 MOSFET만 가르쳐 주는 센스-_-;; MOSFET을 쓰는 이유는 소자 특성도 나쁘지 않지만, 무엇보다도 공정이 비교적 간단해서 가격이 가장 싸다는거..ㅋ

Commented by 아즈 at 2007/12/15 02:42 r x

Pierrot/ 음.. MOSFET 배울 때 발명자가 누구인지 배웠어?
여튼-_- 역시 공대... MOSFET으로 업그레이드. MOSFET이 웨이퍼에 만들기 쉬워보이던데.. 전공자가 설명 좀ㅎㅎ

Commented by 잘모르지만 at 2010/05/26 21:14 r x

저의 경우는 강대원 박사가 1960년에 MOSFET 특허를 냈다고 배웠는데요. 사용되는 BJT와 MOSFET의 기본적인 구조를 살펴 보면, BJT의 경우는 실리콘 표면에 불순물을 주입해서 각 terminal을 이루는 영역을 구멍파듯 만들게 됩니다(base가 emitter를 둘러 싸고, collector는 따로). 반면 MOSFET의 경우는 두 개의 terminal(source와 drain)을 이루는 부분만 주입하고 그 사이 부분과 이미 주입된 부분 위에 MO를 얹는 형태입니다. 이러한 구조적인 차이가 제조 과정을 쉽게 만드는 건가 봅니다. 더 자세한 이유는 저도 잘 모르겠네요. BJT같은 경우는 base가 emitter를 둘러 싼 형태이니까 type이 다른 불순물을 적당한 양으로 적당한 깊이만큼 넣어야하니 힘들 것 같고요. MOSFET은 그냥 다 따로 있으니까 좀 편하지 않을까 생각하네요.

Replied by 아즈 at 2010/05/31 16:43 x

그렇군요. 1960년에 개발 후 특허를 낸 건 가 보네요. (글에 딱히 모순되는 요소는 없는 듯)

저는 전자 전공자가 아니라 정확하게는 모르고, BJT로 전기회로 조금 공부해 본 것이 전부입니다. 다만, 현재 쓰이는 트랜지스터 방식이 MOSFET인데, 발명자가 한국인이란 사실이 별로 알려지지 않은 것 같아서 위와 같은 글을 작성하게 되었습니다. 댓글 달아주신 분께서는 배우셨다니 다행이네요.

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